【イニシャル IQ ラスターペースト ONE】焼成スケジュールを教えてください。

■ステイニングとして使用時の焼成スケジュール（例） ※1　イニシャルLiSiブロックの焼成温度：730-750℃ 　　 LiSiブロックの場合、焼成によって色調が明るくなることがあります。その場合はステインによる色調調整を行ってください。 ・焼成スケジュールは、焼成炉とその機能に応じた調整が必要ですので... 詳細表示

【イニシャル IQ SQIN】SQINを築盛する前の最初のコネクションレイヤーとして、ラスターペーストONEを築盛する場合の使用方法を教えてください。

使用ステップは下記の通りです。 ①ジルコニアまたは二ケイ酸リチウムのフレーム表面を軽くサンドブラスト 　(アルミナ50μｍ 1.5気圧） ②スチームクリーナーをかけて清掃 ③ラスターペーストONEを築盛し、焼成 ④焼成後のラスターペーストONEに軽くサンドブラストし、最適な濡れ性を確保 ⑤SQINパウ... 詳細表示

【イニシャル IQ SQIN】イニシャル ONE SQIN システムのセラミックスは、全てのジルコニアや二ケイ酸リチウムに使用できますか？

使用可能ですが、使用する材料の焼成温度と熱膨張係数を確認し、ご使用下さい。 詳細表示

【イニシャル IQ SQIN】イニシャル ONE SQINシステムでの最大・最少の築盛量を教えてください。

イニシャルIQ SQIＮはラスターペーストONE、スペクトラムステインと合わせた厚みが約0.2~最大0.6㎜のマイクロレイヤリングに適した製品として設計しています。 0.6㎜を超える厚みで築盛する場合は、イニシャルLiSiやイニシャルZR-FSをお使いください。 一般的なべニアリングセラミック（参考：イニシャ... 詳細表示

【イニシャル IQ ラスターペースト ONE】ペースト稠度を調整する際の希釈方法を教えてください。

流動性を調整する場合は、ディルーティングリキッドをお使いください。 注1：ディルーティングリキッドを、直接ラスターペーストONEの瓶の中に入れて希釈しないでください。必ずミキシングディッシュ等にラスターペーストONEを採取して希釈してください。 注2：薄めすぎると色むらが起こる可能性があります。希釈し過ぎ... 詳細表示

【イニシャル IQ SQIN】イニシャル ONE SQINシステムは、イニシャルLiSiブロックにも使用できますか？

使用可能です。 ■ステイニング時の焼成スケジュール（例） ・LiSiブロックの場合、焼成によって色調が明るくなることがあります。その場合はステインによる色調調整を行ってください。 ・焼成スケジュールは、焼成炉とその機能に応じた調整が必要ですので、上記は目安とお考えください。 ■マイクロレイヤリング... 詳細表示

【イニシャル IQ ラスターペースト ONE】付属の筆の毛の材質を教えてください。

コリンスキーです。 詳細表示

【イニシャル IQ ラスターペースト ONE】容器内のペーストが乾燥して粘度が上がっている場合にはどのようにすればよいですか？

ビンの中で乾燥してしまった場合は、リフレッシュリキッドをお使いください。 リフレッシュリキッドをよく振った後、一滴入れるごとに流動性を確認しながら混ぜてください。 ※各種ラスターペーストは水で希釈しないでください。また水との接触もさせないでください。（斑点やひび割れの原因になる） 詳細表示

【イニシャル IQ ラスターペースト ONE】塗布することで表面性状に影響はありますか？

ラスターペーストONEを追加しても、表面性状に影響はほとんどありません。 ただし、軽い振動を与えたり、コンデンスすることで、ラスターペーストONEの質感を変化させることは可能です。 詳細表示

【イニシャル IQ SQIN】イニシャル IQ ONE SQINシステムのフレームワークデザインはどのように設計したらよいですか？

ジルコニアまたは二ケイ酸リチウムのフレームを頬側0.2～0.6mmカットバックしてください。 詳細表示